Daftar Isi
Pendahuluan
Transistor merupakan salah satu komponen penting dalam dunia elektronika. Ada beberapa jenis transistor yang umum digunakan, salah satunya adalah transistor bipolar dan transistor Field Effect Transistor (FET). Dalam artikel ini, kita akan membahas perbedaan antara kedua jenis transistor tersebut.
Transistor Bipolar
Transistor bipolar, juga dikenal sebagai BJT (Bipolar Junction Transistor), adalah jenis transistor yang terdiri dari tiga lapisan semikonduktor yaitu lapisan p-doped, n-doped, dan p-doped. Lapisan p-doped disebut sebagai basis, sedangkan lapisan n-doped yang berada di antara dua lapisan p-doped disebut sebagai emitter dan collector. Transistor bipolar memiliki dua jenis, yaitu transistor NPN dan transistor PNP.
Transistor bipolar bekerja berdasarkan prinsip injeksi muatan, di mana arus yang mengalir antara emitter dan collector dikendalikan oleh arus yang mengalir ke basis. Transistor bipolar memiliki gain arus yang tinggi, namun konsumsi daya yang lebih besar dibandingkan dengan FET.
Transistor FET
Transistor FET, atau sering disebut sebagai transistor tipe unipolar, adalah jenis transistor yang menggunakan medan listrik untuk mengendalikan konduktivitasnya. Terdapat tiga jenis transistor FET yang umum digunakan, yaitu JFET (Junction Field Effect Transistor), MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor), dan IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).
Transistor FET bekerja berdasarkan prinsip pengendalian medan listrik pada kanal semikonduktor, yang mengatur arus antara source dan drain. Transistor FET memiliki impedansi input yang tinggi, daya hantar yang rendah, serta konsumsi daya yang lebih rendah dibandingkan dengan transistor bipolar.
Perbedaan Utama
Ada beberapa perbedaan utama antara transistor bipolar dan FET:
Konstruksi
Transistor bipolar terdiri dari tiga lapisan semikonduktor, sedangkan transistor FET terdiri dari kanal semikonduktor yang diendapkan pada substrat.
Pengendalian Arus
Pada transistor bipolar, arus dikendalikan oleh arus basis, sedangkan pada transistor FET, arus dikendalikan oleh medan listrik yang dihasilkan oleh gate.
Konsumsi Daya
Transistor bipolar memiliki konsumsi daya yang lebih besar dibandingkan dengan transistor FET. Transistor FET memiliki konsumsi daya yang rendah.
Gain
Transistor bipolar memiliki gain arus yang tinggi, sedangkan transistor FET memiliki impedansi input yang tinggi.
Aplikasi
Transistor bipolar umum digunakan dalam aplikasi audio, penguat sinyal, dan dalam rangkaian analog. Transistor FET umum digunakan dalam sirkuit penguat, rangkaian logika, dan dalam perangkat-semikonduktor daya.
Kesimpulan
Dalam artikel ini, kita telah membahas perbedaan antara transistor bipolar dan FET. Transistor bipolar terdiri dari tiga lapisan semikonduktor dan memiliki konsumsi daya yang lebih besar, sedangkan transistor FET menggunakan medan listrik dan memiliki konsumsi daya yang rendah. Keduanya memiliki aplikasi yang berbeda-beda tergantung pada kebutuhan elektronika. Telah diketahui bahwa transistor bipolar memberikan gain arus yang tinggi, sedangkan transistor FET memiliki impedansi input yang tinggi. Sekarang, Anda memiliki pemahaman yang lebih baik tentang perbedaan antara kedua jenis transistor ini dan dapat memilih jenis transistor yang sesuai untuk aplikasi Anda.
